【摘要】报道了一款采用0.25μm GaN HEMT工艺的X波段高效率负载调制平衡放大器芯片。该芯片由两个射频端口的90°Lange耦合器,一对平衡功率放大器和一个控制信号功率放大器组成。通过改变同频率处控制信号的幅度与相位去调制平衡功率放大器的阻抗。在连续波测试条件下,该负载调制平衡放大器芯片在8～11 GHz范围内,最大输出功率为42.5 dBm,饱和效率为45%～55%,当输出功率回退6 dB时,效率为40%～45%。
【关键词】
《建筑知识》 2015-05-12
《中国医疗管理科学》 2015-05-12
《中国医疗管理科学》 2015-05-12
《中国医疗管理科学》 2015-05-12
《中外医疗》 2015-07-03
《重庆高教研究》 2015-06-25
《中外医疗》 2015-07-06
《现代制造技术与装备》 2015-07-02
010-56259535
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